国家环保标准《电子工业污染物排放标准（二次征求意见稿）》

HJ/T84水质无机阴离子的测定离子色谱法

HJ/T91地表水和污水监测技术规范

HJ/T195水质氨氮的测定气相分子吸收光谱法

HJ/T199水质总氮的测定气相分子吸收光谱法

HJ/T200水质硫化物的测定气相分子吸收光谱法

HJ/T373固定污染源监测质量保证与质量控制技术规范（试行）

HJ/T397固定源废气监测技术规范

HJ/T399水质化学需氧量的测定快速消解分光光度法

HJ484水质氰化物的测定容量法和分光光度法

HJ485水质铜的测定二乙基二硫代氨基甲酸钠分光光度法

HJ486水质铜的测定2，9-二甲基-1，10-菲啰啉分光光度法

HJ487水质氟化物的测定茜素磺酸锆目视比色法

HJ488水质氟化物的测定氟试剂分光光度法

HJ489水质银的测定3,5-Br2-PADAP分光光度

HJ490水质银的测定镉试剂2B分光光度法

HJ493水质采样样品的保存和管理技术规定

HJ494水质采样技术指导

HJ495水质采样方案设计技术指导

HJ501水质总有机碳的测定燃烧氧化-非分散红外吸收法

HJ533环境空气和废气氨的测定纳氏试剂分光光度法

HJ534环境空气氨的测定次氯酸钠-水杨酸分光光度法

HJ535水质氨氮的测定纳氏试剂分光光度法

HJ536水质氨氮的测定水杨酸分光光度法

HJ537水质氨氮的测定蒸馏-中和滴定法

HJ538固定污染源废气铅的测定火焰原子吸收分光光度法(暂行)

HJ544固定污染源废气硫酸雾的测定离子色谱法（暂行）

HJ547固定污染源废气氯气的测定碘量法（暂行）

HJ548固定污染源废气氯化氢的测定硝酸银容量法（暂行）

HJ549环境空气和废气氯化氢的测定离子色谱法(暂行)

HJ583环境空气苯系物的测定固体吸附/热脱附-气相色谱法

HJ584环境空气苯系物的测定活性炭吸附/二硫化碳解吸-气相色谱法

HJ629固定污染源废气二氧化硫的测定非分散红外吸收法

HJ636水质总氮的测定碱性过硫酸钾消解紫外分光光度法

HJ637水质石油类和动植物油的测定红外分光光度法

HJ657空气和废气颗粒物中铅等金属元素的测定电感耦合等离子体质谱法

HJ659水质氰化物等的测定真空检测管-电子比色法

HJ644环境空气挥发性有机物的测定吸附管采样－热脱附/气相色谱－质谱法

HJ665水质氨氮的测定连续流动-水杨酸分光光度法

HJ666水质氨氮的测定流动注射-水杨酸分光光度法

HJ667水质总氮的测定连续流动-盐酸萘乙二胺分光光度法

HJ668水质总氮的测定流动注射-盐酸萘乙二胺分光光度法

HJ670水质磷酸盐和总磷的测定连续流动-钼酸铵分光光度法

HJ671水质总磷的测定流动注射-钼酸铵分光光度法

HJ685固定污染源废气铅的测定火焰原子吸收分光光度法

HJ692固定污染源废气氮氧化物的测定非分散红外吸收法

HJ693固定污染源废气氮氧化物的测定定电位电解法

HJ694水质汞、砷、硒、铋和锑的测定原子荧光法

HJ700水质65种元素的测定电感耦合等离子体质谱法

HJ732固定污染源废气挥发性有机物的采样气袋法

HJ734固定污染源VOCs的测定固相吸附-热脱附-气相色谱-质谱法

HJ801环境空气和废气酰胺类化合物的测定液相色谱法

HJ819排污单位自行监测技术指南总则

AQ/T4274局部排风设施控制风速检测与评估技术规范

《污染源自动监控管理办法》（国家环境保护总局令第28号）

《环境监测管理办法》（国家环境保护总局令第39号）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1电子专用材料specialelectronicmaterials

在半导体集成电路、各种电子元器件（包括有源及无源元器件、铝电解电容器、激光器件、光通讯器件、发光二极管器件、液晶显示器件等电子基础产品）制造中所采用的特定材料。本标准中电子专用材料涵盖的产品范围包括半导体材料、覆铜板、电子铜箔、铝电解电容器电极箔、光电子材料、蓝宝石基片、压电晶体材料、电子专用精细化工与高分子材料，但不包括真空材料、磁性材料、焊接材料和陶瓷材料等。具体产品范围见附录A。

3.2电子元件electricalunit

电子电路中具有某种独立功能的单元，可对电路中电压和电流进行控制、变换和传输等。一般包括：

电阻器、电容器、电子变压器、电感器、压电晶体元器件、电子敏感元器件与传感器、电接插元件、控

制继电器、微特电机与组件、电声器件等产品。

3.3印制电路板printedcircuitboard（PCB）

在绝缘基材上，按预定设计形成印制元件、印制线路或两者结合的导电图形的印制电路或印制线路成品板。印制电路板包括刚性板与挠性板，单面印制电路板、双面印制电路板、多层印制电路板，以及刚挠结合印制电路板和高密度互连印制电路板等。

3.4半导体器件semiconductordevice

利用半导体材料的特殊电特性制造，以实现特定功能的电子器件。包括分立器件和集成电路两大类产品。

3.5光电子器件photoelectroncomponent

利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。如发光二极管（LED）；半导体光电器件中的光电转换器、光电探测器等；激光器件中的气体激光器件、半导体激光器件、固体激光器件、静电感应器件等；光通信电路及其他器件；半导体照明器件等。

3.6显示器件displaydevice

基于电子手段呈现信息供视觉感受的器件。包括薄膜晶体管液晶显示器件（TN/STN-LCD、TFT-LCD）、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件（LTPS-TFT-LCD）、有机发光二极管显示器件（OLED）、真空荧光显示器件（VFD）、场发射显示器件（FED）、等离子显示器件（PDP）、曲面显示器件以及柔性显示器件等。

3.7电子终端产品electronterminalsproduct

以采用印制电路板（PCB）组装工艺技术为基础装配的具有独立应用功能的电子信息产品或组件。如通信设备、雷达设备、广播电视设备、电子计算机、视听设备、电子测量仪器等。

3.8现有企业existingfacility

本标准实施之日前已建成投产或环境影响评价文件已通过审批的电子工业企业或生产设施。

3.9新建企业newfacility

本标准实施之日起环境影响评价文件通过审批的新建、改建和扩建电子工业建设项目。

3.10直接排放directdisge

排污单位直接向环境水体排放水污染物的行为。

3.11间接排放indirectdisge

排污单位向公共污水处理系统排放水污染物的行为。

3.12公共污水处理系统publicwastewatertreatmentsystem

通过纳污管道等方式收集废水，为两家及两家以上排污单位提供废水处理服务并且排水能够达到相关排放标准要求的企业或机构，包括各种规模和类型的城镇污水处理厂、区域（包括各类工业园区、开发区、工业聚集地等）废水处理厂等，其废水处理程度应达到二级或二级以上。

3.13排水量effluentvolume

生产设施或企业向企业法定边界以外排放的废水的量，包括与生产有直接或间接关系的各种外排废水（含厂区生活污水、冷却废水、厂区锅炉和电站排水等）。

3.14单位产品基准排水量benchmarkeffluentvolumeperunitproduct

用于核定水污染物排放浓度而规定的生产单位电子产品的废水排放量上限值。

3.15挥发性有机物volatileorganiccompounds

参与大气光化学反应的有机化合物，或者根据规定的方法测量或核算确定的有机化合物。

根据行业特征和环境管理需求，可选择对主要VOCs物种进行定量加和的方法测量总有机化合物（以TVOC表示），或者选用按基准物质标定，检测器对混合进样中VOCs综合响应的方法测量非甲烷有机化合物（以NMHC表示，以碳计）。

3.16标准状态standardcondition

温度为273.15K、压力为101325Pa时的状态。本标准规定的大气污染物排放浓度限值均以标准状态下的干气体为基准。

3.17企业边界enterpriseboundary

电子工业企业或生产设施的法定边界。若无法定边界，则指企业或生产设施的实际占地边界。

3.18排气筒高度stackheight

自排气筒（或其主体建筑构造）所在的地平面至排气筒出口计的高度，单位为m。

4水污染物排放控制要求

4.1现有企业2021年1月1日前仍执行现行标准，自2021年1月1日起执行表1规定的水污染物排放限值。

4.2新建企业自2019年1月1日起执行表1规定的水污染物排放限值。

4.3根据环境保护工作的要求，在国土开发密度已经较高、环境承载能力开始减弱，或环境容量较小、生态环境脆弱，容易发生严重环境污染问题而需要采取特别保护措施的地区，应严格控制企业的污染物排放行为，在上述地区的电子工业企业执行表2规定的水污染物特别排放限值。

执行水污染物特别排放限值的地域范围、时间，由国务院环境保护行政主管部门或省级人民政府规定。

4.4新建企业自2019年1月1日起，现有企业自2021年1月1日起，执行表3规定的单位产品基准排水量。

编辑：程彩云